パルスレーザーアブレーション法による半導体ナノ粒子の作製
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パルスレーザーアブレーション法とは物質に強いパルスレーザーを照射し放出されやプラズマから薄膜やナノ粒子を作成する方法である。本研究室ではガス中でのパルスレーザーアブレーション法でナノ粒子の作成に取り組んでいる。
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作成されたナノ粒子の一例。N2ガス中でのSiのレーザーアブレーション法によって1ステップのプロセスでコアがSiでシェルがSiNxのコア/シェル構造の形成に成功した。
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ナノ粒子は基板上で様々な凝集構造をとる。特に高ガス圧力下ではクラスタークラスター凝集によるフラ食いたる構造を形成する。
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表面を水素化する、粒子間の相互作用が減少する。これによってバンドギャップを変化させることが出来る。
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二つのターゲットを用いて放出されたプラズマを衝突させれば、複合ナノ構造の作成が可能となる。
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作成されたナノ粒子複合体の一例